下一代ReRAM闪存芯片

发布日期：2015-01-18 浏览次数：102

　　日经新闻报道，夏普正与尔必达联手开发下一代ReRAM可变电阻式闪存芯片，预计在2013年实现量产。
　　
　　早在2007年，富士通就宣布开发出了这种可变电阻式闪存芯片，它在降低功耗的同时写入速度达到目前手机所用NAND闪存芯片的10000倍。
　　
　　日经新闻称，采用ReRAM芯片的设备可以在几秒钟的时间内下载一部高清电影，待机模式下功耗几乎为零。
　　
　　除了夏普和尔必达外，日本产业技术综合研究所、东京大学以及其它芯片设备制造商也将加入到研发工作当中。该芯片最早将在2013年实现量产，尔必达将可能负责这一生产工作。
　　
　　此外其它竞争对手同样也在积极研发新型存储芯片，东芝就在开发一种层式结构（layered structure）闪存芯片；三星除了研发ReRAM外，相变式存储芯片和磁性存储芯片的开发工作也在进行中。