SanDisk/东芝进军10nm闪存工艺

发布日期：2014-12-25 浏览次数：97

　　2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别，2011年则将成为20nm级别普及的开端，同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。SanDisk近日就表示：“2011年我们的首要营业费用投资就是研发，包括Fab 5晶圆厂上线投产，以及（10nm级别）和更先进NAND闪存制造工艺的技术投资。”
　　
　　SanDisk指出，得益于移动设备的全球浪潮，闪存的市场需求正在迅猛增加，因此SanDisk将与东芝合作，加速2bpc（每单元两个比特）、3bpc等规格MLC NAND闪存芯片的生产。截至2011年1月2日，SanDisk第四季度收入13.3亿美元，同比增长7％，环比增长8％，去年总收入48.3亿美元，相比2009年的 35.7亿美元大幅增长了35％；第四季度GAAP审计净利润4.85亿美元（每股收益2.01亿美元），同比增长43％，环比增长51％，全年净利润 13.0亿美元，同比增长31％。